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题名/责任者:

氮化物半导体太赫兹器件/冯志红编著

出版发行项:

西安:西安电子科技大学出版社,2022.09

ISBN及定价:

978-7-5606-6312-8 精装/CNY128.00

载体形态项:

307页, [4] 页图版:图;24cm

并列正题名:

Nitride semiconductor terahertz device

丛编项:

宽禁带半导体前沿丛书

个人责任者:

冯志红 编著

学科主题:

电磁辐射-应用-氮化镓-半导体器件-研究

中图法分类号:

TN303

一般附注:

国家出版基金项目

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

随着太赫兹技术的发展, 传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升, 导致现有的太赫兹源输出功率低, 不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点, 在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展, 包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、倍频器、功率放大器、直接调制器和高灵敏探测器等, 涉及器件的基本工作原理、设计方法、工艺方法、测试方法和应用等。

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